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IBM聯(lián)手三星發(fā)布“突破性”芯片設(shè)計(jì),可減少85%能耗

發(fā)布時(shí)間:2021-12-16 15:19:45
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來(lái)源:智通財(cái)經(jīng)
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來(lái)源:智通財(cái)經(jīng)

智通財(cái)經(jīng)APP獲悉,最近,IBM(IBM.US)表示,其與三星合作在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)上取得了“突破”,可以減少85%的能源消耗。

據(jù)悉,IBM與韓國(guó)三星共同發(fā)布“垂直傳輸場(chǎng)效應(yīng)晶體管”(VTFET) 芯片設(shè)計(jì)。與當(dāng)前的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET)相比,VTFET 有望帶來(lái)翻倍的性能,減少 85% 能耗。

IBM在新聞稿中列出了這項(xiàng)技術(shù)帶來(lái)的潛在好處,包括:開發(fā)新的芯片架構(gòu),延長(zhǎng)手機(jī)待機(jī)時(shí)間至一個(gè)多星期,擴(kuò)展物聯(lián)網(wǎng)(IoT)應(yīng)用,減少能源密集型流程的能耗等。

頭圖來(lái)源:123RF

   原標(biāo)題:IBM聯(lián)手三星發(fā)布“突破性”芯片設(shè)計(jì),可減少85%能耗

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