DDR內(nèi)存條種類

DDR內(nèi)存全稱是DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM，雙倍速率SDRAM)。DDR SDRAM最早是由三星公司于1996年提出，由日本電氣、三菱、富士通、東芝、日立、德州儀器、三星及現(xiàn)代等八家公司協(xié)議訂立的內(nèi)存規(guī)格，并得到了AMD、VIA與SiS等主要芯片組廠商的支持。它是SDRAM 的升級版本，因此也稱為

SDRAM模塊運(yùn)作原理都是什么?

DDR SDRAM模塊部分與SDRAM模塊相比，改為采用184針(pin)，4～6 層印刷電路板，電氣接口則由「LVTTL」改變?yōu)椤窼STL2」。在其它組件或封裝上則與SDRAM模塊相同。DDR SDRAM模塊一共有184個接腳，且只有一個缺槽，與SDRAM的模塊并不兼容。 DDR SDRAM在命名原則上也與SDRAM不同。SDRAM的命名是按照時鐘頻率來命名的，例如PC100與PC133。而DDR SDRAM則是以數(shù)據(jù)傳輸量作為命名原則，例如PC1600以及PC2100，單位MB/s。所以 DDR SDRAM中的DDR200 其實(shí)與 PC1600 是相同的規(guī)格，數(shù)據(jù)傳輸量為 1600MB/s(64bit×100MHz×2÷8=1600MBytes/s)，而DDR266與PC2100 也是一樣的情形(64bit×133MHz×2÷8=2128MBytes/s)。

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